我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H8M36BM-5:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据带宽不足而发愁吗？MT49H8M36BM-5:B正是您提升性能的利器。这颗288Mb（8M x 36）容量的并行DRAM，拥有高达200MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能轻松应对高速数据缓冲、实时图像处理等苛刻任务，让您的设备运行如飞。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电和144-TFBGA超薄封装，在提供强大并行数据处理能力的同时，显著降低了系统功耗并节省了电路板空间。无论是工业控制、网络通信还是车载系统，它都能在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，为您打造高效、可靠且紧凑的终端产品提供坚实的存储基石。

• 型号:MT49H8M36BM-5:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-5:B，Micron（美光）产品一站式供应商。