我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H8M36BM-25 IT:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据吞吐不够快而烦恼吗？MT49H8M36BM-25 IT:B就是您的高效解决方案。这颗288Mb并行DRAM，以高达400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，为您构建起一条高速数据通道，让海量数据的实时读写变得轻松流畅。

它采用8M x 36的宽位架构和并联接口，能显著提升您系统的整体带宽，非常适合用于网络设备、工业控制器、医疗仪器等对数据交换速率要求苛刻的领域。1.7V~1.9V的低功耗设计和宽广的-40°C至85°C工作温度范围，更能确保它在各种复杂环境下稳定运行，让您的产品设计更可靠、更具竞争力。

• 型号:MT49H8M36BM-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-25 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。