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您正在为项目寻找一颗能高效处理并行数据流的核心存储芯片吗？MT49H32M9SJ-25:B正是您需要的解决方案。这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，能以高达400MHz的时钟频率飞速运转，配合20ns的快速访问时间，确保您的系统在处理大量实时数据时毫无迟滞，轻松应对高带宽需求。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，有效帮助您控制整体功耗，同时其宽温（0°C~95°C）特性和可靠的144-TFBGA封装，让您的产品即使在严苛的工业或网络通信环境中也能稳定运行。选择它，就是为您的设备选择了一个高效、耐用的数据交换枢纽。

• 型号:MT49H32M9SJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M9SJ-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。