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还在为系统数据吞吐速度而焦虑吗？MT49H32M9FM-33:B就是您期待的答案。这颗美光出品的288Mb并行DRAM，能以高达300MHz的时钟频率和闪电般的20ns访问时间，让您的设备轻松应对海量数据的实时读写需求，彻底释放处理器的潜能。

它为您构建了一个高效、可靠的数据中转站。无论是工业控制中的实时指令，还是通信设备中的数据流，其宽并行接口（32M x 9）都能确保数据洪流畅通无阻。1.7V~1.9V的低电压设计，在提供强劲动力的同时兼顾能效，让您的系统运行更稳定、更持久。选择它，就是为您的核心应用选择了一位值得信赖的“高速伙伴”。

• 型号:MT49H32M9FM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M9FM-33:B，Micron（美光）产品一站式供应商。