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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？NAND08GW3D2AN6E就是您的高效答案。这颗由美光科技打造的8Gb并行NAND闪存，能以高达25ns的速度响应您的读写指令，让您的设备告别卡顿，实现数据的瞬间存取与流畅运行。

它为您提供了稳定可靠的1G x 8位存储空间，宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）支持让它能轻松应对各种严苛环境，无论是工业控制、网络通信还是消费电子，都能完美嵌入。其经典的48-TSOP表面贴装封装，让您的生产集成过程更加简便高效。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过验证的、强大的数据心脏。

• 型号:NAND08GW3D2AN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND08GW3D2AN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。