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您正在为高性能计算、网络通信或工业控制设备寻找一颗可靠的高速内存核心吗？MT49H32M18BM-25:B正是为您而来。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，拥有32M x 18的灵活位宽和高达400MHz的运行频率，能轻松胜任大数据量的实时缓存与高速交换任务，让您的系统数据处理能力快人一步。

它采用先进的1.8V左右低电压供电和144-TFBGA小型化封装，在为您提供20ns快速响应的同时，显著优化了功耗与空间占用。无论是嵌入在严苛环境下的工控设备，还是集成于对稳定性要求极高的通信模块中，它都能确保长时间高效、稳定地工作，是您构建强劲、可靠硬件平台的理想存储伙伴。

• 型号:MT49H32M18BM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18BM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。