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您是否正在寻找一颗能让您的移动或嵌入式设备“大脑”运转更飞速、更持久的记忆核心？MT48H32M16LFB4-6 IT:C正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的512Mb移动低功耗SDRAM，拥有32M x 16的组织结构，能以高达166MHz的速度流畅处理并行数据，其5ns的快速访问时间让数据读取写入瞬间完成，显著提升系统响应效率。

它专为 demanding 应用而设计，1.7V~1.95V的低电压工作范围让您轻松实现优异的能效控制，大幅延长电池供电设备的续航。同时，其宽广的-40°C至85°C工业级工作温度范围，确保您的产品无论是在炎热的户外还是寒冷的工业现场，都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲且可靠的心脏。

• 型号:MT48H32M16LFB4-6 IT:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x8）
• MT48H32M16LFB4-6 IT:C，Micron（美光）产品一站式供应商。