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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H16M36SJ-25 IT:B这颗576Mb并行DRAM芯片，就是您提升性能的密钥。它以高达400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，让您的应用能够轻松应对海量数据的实时读写需求，彻底释放系统潜力。

无论是工业控制、通信基础设施还是高端计算，这颗芯片都能让您游刃有余。其宽泛的-40°C至85°C工作温度范围和1.8V左右的高效供电，确保了在极端环境下的稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了美光科技带来的高效、可靠的数据心脏。

• 型号:MT49H16M36SJ-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。