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还在为系统数据瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M36SJ-25E:B TR为您带来颠覆性的流畅体验。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的极速访问时间，能瞬间提升您的数据处理能力，让海量信息吞吐变得轻松自如。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，在为您提供高效能的同时，显著优化了系统功耗与空间占用。无论是应对严苛的工业环境（0°C ~ 95°C），还是满足高性能网络设备的需求，它都能稳定可靠地运行，是您打造高效、紧凑且可靠电子系统的理想核心部件。

• 型号:MT49H16M36SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。