我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H16M36SJ-25E:B现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存方案吗？MT49H16M36SJ-25E:B就是您的答案。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的快速访问时间，能轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的设备运行如飞，彻底告别延迟卡顿。

它采用高效的1.8V左右供电和144-TFBGA紧凑封装，在提供强大16M x 36位宽数据通道的同时，兼顾了能效与空间利用率。无论是处理网络数据流、加速工业控制，还是支撑高清影像分析，它都能稳定可靠地工作，让您的设计更高效，产品更具市场竞争力。

• 型号:MT49H16M36SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。