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还在为系统数据处理速度跟不上而焦虑吗？让MT49H16M36SJ-18 IT:B TR为您带来颠覆性的体验。这颗美光576Mb并行DRAM芯片，就像一个高效的数据高速公路，凭借533MHz的高时钟频率和并联接口，能让您的应用瞬间完成海量数据的吞吐，彻底释放CPU的算力，让系统响应快如闪电。

它不仅仅追求速度，更注重稳定与能效。1.7V~1.9V的低电压运行让您轻松实现节能设计，而-40°C至85°C的宽温工作范围则确保了它在各种严苛环境下都能可靠服役。无论是工业控制、网络通信还是高端影像处理，选择它，就是为您的核心设备选择了一个强大、冷静且永远在线的数据伙伴。

• 型号:MT49H16M36SJ-18 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-18 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。