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您是否在寻找一颗能瞬间响应、高效处理海量并行数据的存储核心？MT49H16M36FM-25:B正是您的理想之选。这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅20ns的访问时间，能为您的高速计算、实时控制等应用提供迅捷无比的数据读写支持，让系统流畅度跃升新台阶。

它采用1.7V~1.9V低电压工作，有效降低系统功耗，同时宽达0°C至95°C的工作温度范围，让您的设备在苛刻环境下也能稳定运行。其144-TFBGA紧凑型封装，更便于您进行高密度板卡设计，轻松实现高性能与小体积的完美平衡。

• 型号:MT49H16M36FM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36FM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。