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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M36BM-33:B TR为您带来变革！这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM芯片，以其300MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能瞬间提升您系统的数据交换能力。无论是处理实时流媒体还是运行复杂算法，它都能确保数据流畅无阻，让您的设备响应如飞。

它采用1.7V~1.9V低电压工作，有效帮助您控制整体功耗，同时其宽温（0°C~95°C）特性确保了在苛刻环境下的稳定运行。采用144-TFBGA小型化封装，非常适合对空间有要求的嵌入式设计。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的数据心脏，轻松应对各种高性能应用场景的挑战。

• 型号:MT49H16M36BM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。