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当您的设计需要一颗“大脑”来高速、可靠地存储和调用关键程序代码时，M58LT256KSB8ZA6F TR正是您期待的解决方案。这颗由美光科技出品的256Mb并行NOR闪存芯片，能以高达52MHz的速度运行，确保您的系统获得闪电般的启动和数据访问体验，彻底告别等待。

它专为要求苛刻的嵌入式环境而生。1.7V~2V的低电压工作范围帮助您有效管理功耗，而其坚固的64-TBGA封装和宽达-40°C至85°C的工作温度范围，则意味着它能在各种严酷条件下稳定运行，极大提升了您最终产品的环境适应性和长期可靠性。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备注入一颗强劲而可靠的数据心脏。

• 型号:M58LT256KSB8ZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M58LT256KSB8ZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。