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它采用先进的1.7V~1.9V低电压设计，在提供强劲动力的同时，显著降低功耗，让您的设备运行更高效、更环保。其坚固的144-TFBGA封装和宽温工作范围（0°C ~ 95°C），确保即使在严苛环境下也能稳定可靠，是您构建耐用、高性能产品的理想内存解决方案。

• 型号:MT49H16M18FM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18FM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。