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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M-25:B为您带来改变！这颗288Mb（16M x 18）并行DRAM，拥有400MHz高时钟频率与20ns快速访问时间，能瞬间响应您的数据调用指令，让您的高速设备运行如飞，数据处理效率大幅提升。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压设计，在保证强劲性能的同时，有效降低系统整体功耗，特别适合需要长时间稳定运行的嵌入式与工业应用。其坚固的144-TFBGA封装和宽温工作特性（0°C ~ 95°C），更能让您轻松应对各种严苛环境，确保核心数据存储的万无一失。选择它，就是为您的产品选择了一颗经久耐用、高效可靠的数据心脏。

• 型号:MT49H16M18FM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18FM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。