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您正在寻找一颗能轻松驾驭高速数据流的“记忆核心”吗？MT49H16M18BM-5:B正是您的高效搭档。它拥有288Mb的存储容量和18位并行接口，能以高达200MHz的时钟频率飞速运转，让您的嵌入式系统在处理海量数据时依然行云流水，告别卡顿与延迟。

这颗芯片专为要求严苛的应用而设计。其仅20ns的访问时间，确保数据随时待命，响应您的每一次调用；1.7V~1.9V的低电压工作特性，助力您打造更节能的产品。无论是面对0°C的低温还是95°C的高温考验，它都能稳定可靠地工作，让您的设备在各种环境下都表现出色。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:MT49H16M18BM-5:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18BM-5:B，Micron（美光）产品一站式供应商。