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还在寻找能瞬间响应、吞吐海量数据的内存核心吗？MT49H16M18BM-25:B就是您期待的答案。这颗美光RLDRAM 2存储器，拥有288Mb（16M x 18）的存储容量和闪电般的2.5ns访问速度，专为消除高性能系统中的延迟瓶颈而生。

它能让您的网络路由器、电信设备或高级计算平台，轻松应对数据包的极速转发与处理，实现前所未有的流畅体验。其并联接口和优化的架构，确保数据高效存取；1.7V~1.9V的低电压运行，在提升性能的同时助力能效控制。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的数据处理心脏。

• Micron美光半导体完整型号：MT49H16M18BM-25:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 288MBIT 2.5NS 144UBGA
• 系列：-
• 格式 - 存储器：RAM
• 存储器类型：RLDRAM 2
• 存储容量：288M（16M x 18）
• 速度：2.5ns
• 接口：并联
• 电压 - 电源：1.7 V ~ 1.9 V
• 工作温度：0°C ~ 95°C
• 封装/外壳：144-TFBGA
• 供应商器件封装：144-BGA （18.5x11）
• MT49H16M18BM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。