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TE48F4400P0VB00A 零件图片(仅供参考)

TE48F4400P0VB00A
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TE48F4400P0VB00A 规格参数

还在寻找一颗能扛重任、响应迅捷的核心存储芯片吗?TE48F4400P0VB00A就是您期待的答案。这颗512Mb(32M x 16)的并行NOR闪存,以高达40MHz的时钟频率和仅85ns的访问/写入时间,为您的高速处理器提供即时数据供给,让您的系统告别等待,流畅运行。

它采用先进的1.7V~2V低电压供电,在提升能效的同时,其宽达-40°C至85°C的工作温度范围,让您的设备无惧严寒酷暑,在各种恶劣环境下稳定可靠。无论是存储关键引导代码、系统参数,还是作为高速执行缓存,它都能轻松胜任,为您的工业控制、通信设备或汽车电子应用注入高效可靠的存储动力。

  • 制造商产品型号:TE48F4400P0VB00A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:StrataFlash
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:512Mb(32M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:40MHz
  • 写周期时间-字,页:85ns
  • 访问时间:85ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:56-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • TE48F4400P0VB00A,Micron(美光)产品一站式供应商。
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TE48F4400P0VB00A 基本参数:

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