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还在为嵌入式系统的内存瓶颈寻找突破口吗？MT48H8M32LFB5-10就是您期待的答案。这颗美光出品的256Mb并行移动低功耗SDRAM，能以高达100MHz的时钟频率和仅7ns的闪电般访问时间，让您的处理器指令得到即刻响应，大幅提升系统整体数据处理效率。

它专为高效能与低功耗的平衡而设计。1.7V~1.95V的宽电压范围，结合移动LPSDR技术，让您的设备在保持强劲性能的同时，显著降低能耗，延长续航。其90-VFBGA小型化封装，更能帮助您轻松优化电路板空间，实现更紧凑、更优雅的产品设计。选择它，就是为您的应用选择了一个可靠、高效的数据交换核心。

• 型号:MT48H8M32LFB5-10
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:7 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H8M32LFB5-10，Micron（美光）产品一站式供应商。