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您正在寻找一颗能同时兼顾高速响应与低功耗运行的存储芯片吗？MT48H8M16LFB4-6:K TR正是您的理想之选。这颗128Mb并行移动LPSDRAM，能以高达166MHz的速度处理数据，访问时间低至5ns，让您的系统运行如飞，轻松应对实时性要求高的任务。

它采用先进的低功耗设计，工作电压范围宽至1.7V~1.95V，能显著降低系统整体能耗，特别适合便携式或电池供电设备。紧凑的54-VFBGA封装让您能在有限的空间内实现高密度布局，为产品设计带来更大的灵活性。选择它，就是为您的项目选择了一个高效、稳定且节能的数据伙伴。

• 型号:MT48H8M16LFB4-6:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x8）
• MT48H8M16LFB4-6:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。