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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR 零件图片(仅供参考)

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR
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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR 规格参数

还在为您的汽车电子或高端工业设备寻找一颗既强悍又可靠的“记忆大脑”吗?MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR正是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb汽车级低功耗SDRAM,能以高达166MHz的速度流畅处理海量数据,其5ns的快速访问时间让系统响应瞬间完成,彻底告别卡顿与延迟。

它专为严苛环境打造,轻松应对-40°C到105°C的极端温度挑战,并通过AEC-Q100认证,确保在最颠簸的路况或复杂的工业现场也能稳定运行。其1.7V~1.95V的低电压设计,更能有效帮助您降低系统整体功耗,提升能效。选择它,就是为您的产品选择了一份高性能与高可靠性的双重保障,让您的设计脱颖而出。

  • 制造商产品型号:MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:512Mb(32M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:5ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
  • MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR 基本参数:

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