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还在为嵌入式系统的数据瓶颈而烦恼吗？让MT48H16M32L2B5-8为您开启高效数据流的新篇章。这颗512Mb容量的移动低功耗SDRAM，凭借125MHz的时钟频率和7.5ns的快速访问时间，能显著提升您系统的实时数据处理能力，让海量信息流转如飞。

它采用1.7V~1.9V的低电压设计，能有效帮助您降低整体系统功耗，同时其稳健的并行接口和宽温工作特性，确保在各种应用场景下都能提供持久可靠的性能支持。选择它，就是为您的工业控制、通信模块或显示终端注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT48H16M32L2B5-8
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:125 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:7.5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT48H16M32L2B5-8，Micron（美光）产品一站式供应商。