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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的核心存储器吗？MT47R256M8EB-25E:C正是您期待的答案。这颗美光科技的2Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有高达400MHz的时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能让您的处理器摆脱等待，高效处理海量数据流，轻松应对实时计算和高带宽应用的挑战。

它采用经典的并行接口和256M x 8的容量配置，为您的大容量数据缓冲需求提供坚实后盾。其1.8V左右的标准工作电压，在提供强劲性能的同时，兼顾了能效，有助于优化系统整体功耗。无论是用于工业控制、网络通信还是嵌入式系统，它都能让您的设备运行更流畅、响应更迅捷。

• 型号:MT47R256M8EB-25E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.55V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47R256M8EB-25E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。