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您正在寻找一颗能同时满足高性能、高可靠性与高集成度的存储解决方案吗？MT47H64M8SH-25E IT:H正是为您而来。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借其400MHz的高速时钟和并联接口，能轻松应对数据密集型任务，让您的系统处理速度飞跃提升，用户体验无比流畅。

它不仅能高效工作，更能稳定坚守。其支持-40°C至95°C的工业级宽温范围，确保您的设备在极端环境下依然可靠运行；1.7V~1.9V的低电压供电则助力您实现更优的能效设计。采用60-TFBGA小型化封装，为您节省宝贵的板卡空间，让产品设计更加紧凑灵活。选择它，就是为您的应用注入一颗强劲而可靠的数据引擎。

• 型号:MT47H64M8SH-25E IT:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E IT:H，Micron（美光）产品一站式供应商。