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MT47H64M8CF-25E:G 零件图片(仅供参考)

MT47H64M8CF-25E:G
Micron 订单到达,马上发货

MT47H64M8CF-25E:G 规格参数

还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗?让MT47H64M8CF-25E:G为您注入澎湃动力!这颗美光512Mb DDR2 SDRAM芯片,能以高达400MHz的速度流畅处理数据,其仅400ps的极速访问时间,让您的应用程序告别等待,实现即时响应。

它为您提供高效、稳定的并行数据通道,轻松应对工业控制、网络通信等场景中的密集读写任务。1.8V左右的核心电压设计,在提升性能的同时兼顾能效,帮助您构建更节能、更可靠的系统解决方案。选择它,就是选择了一份经过时间验证的卓越性能。

  • 型号:MT47H64M8CF-25E:G
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • MT47H64M8CF-25E:G,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT47H64M8CF-25E:G 基本参数:

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