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您正在设计一款需要高速数据缓冲和大量临时存储空间的产品吗？MT46H64M32LFCX-6 WT:B正是为您而来。这颗美光出品的2Gb移动LPDDR DRAM芯片，能以高达166MHz的速度流畅处理数据，其5ns的极速访问时间和15ns的快速写周期，让您的系统告别卡顿，实现瞬间响应，大幅提升整体运行效率。

它采用1.8V左右低电压运行，有效降低系统功耗，同时支持-25°C至85°C的宽温范围，确保在各种环境下稳定工作。无论是嵌入式工控设备、便携式终端还是需要可靠临时存储的复杂系统，它都能轻松胜任，为您提供高效、稳定的数据交换平台，让您的产品性能表现更加出众。

• 型号:MT46H64M32LFCX-6 WT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（9x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（9x13）
• MT46H64M32LFCX-6 WT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。