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还在为您的嵌入式设备寻找一颗久经考验、性能可靠的内存伙伴吗？MT47H64M8CB-5E:B正是您理想的答案。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度高效处理数据，其仅600ps的快速访问时间，让您的系统响应无比迅捷，轻松应对实时数据读写挑战。

它采用标准的1.8V供电和稳定的并联接口，不仅功耗控制得当，更能无缝集成到您的现有设计中。无论是工业控制主板的数据缓存，还是网络通信设备的报文缓冲，它都能提供稳定、高速的存储支持，让您的设备运行更流畅、更可靠。选择它，就是为您的产品核心注入一份经久不衰的动能。

• 型号:MT47H64M8CB-5E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-5E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。