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还在为嵌入式系统寻找一颗高速、稳定的内存解决方案吗？MT47H64M8CB-3:B TR就是您的高效答案。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度流畅处理数据，450ps的极速访问时间让系统响应快人一步，轻松应对实时控制、数据缓冲等高要求任务。

它采用1.8V左右低电压运行，有效节能控热，并能在0°C至85°C的宽温范围内稳定工作，可靠性历经考验。其经典的64M x 8并行接口和FBGA封装，让您的电路设计更灵活，集成更简便。选择它，就是为您的设备注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT47H64M8CB-3:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-3:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。