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还在寻找一颗能同时满足高速响应、高密度存储且设计简便的内存芯片吗？MT45W4MW16BBB-708 WT TR就是您的理想答案。这颗美光64Mb PSRAM，采用创新的伪SRAM技术，让您无需操心DRAM复杂的刷新机制，就能轻松获得70ns的快速数据访问体验，极大简化了您的硬件设计。

它专为追求高效与可靠的应用而生。1.7V~1.95V的低电压运行，显著降低系统功耗，特别适合便携设备；其宽温级特性（-30°C ~ 85°C）则确保了在严苛环境下的稳定工作。无论是工业控制、车载系统还是医疗设备，它都能作为核心缓存，让您的产品运行更流畅、更可靠。

• 制造商产品型号：MT45W4MW16BBB-708 WT TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：PSRAM
• 技术：PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
• MT45W4MW16BBB-708 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。