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还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？MT47H64M8CB-37E IT:B TR就是您的高效解决方案。这颗美光512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借其64M x 8的并行接口和267MHz的高速时钟，能为您提供强大的数据带宽，轻松应对实时、高吞吐量的数据读写需求，让您的应用运行如飞。

它采用1.8V左右低电压设计，功耗控制出色，同时拥有-40°C至95°C的工业级宽温工作能力，确保在极端环境下依然稳定可靠。无论是加速图形处理、缓冲网络数据还是支持复杂算法运算，它都能成为您硬件设计中值得信赖的“记忆中枢”，显著提升整体系统响应速度与效率。

• 型号:MT47H64M8CB-37E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-37E IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。