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您正在寻找一颗能扛重任、反应迅捷的“系统记忆核心”吗？MT47H64M16NF-25E:M TR正是这样一款专为 demanding 应用而生的1Gb DDR2 SDRAM。它凭借400MHz的高时钟频率和超低的访问延迟，能轻松应对实时数据流处理、复杂算法运算等高带宽需求，让您的系统运行如行云流水般顺畅。

这颗芯片采用先进的84-TFBGA封装，节省宝贵的板级空间，其1.8V典型供电电压兼顾了性能与能效。更重要的是，它拥有汽车级（AEC-Q100）的可靠品质，支持0°C至85°C的工业宽温范围，确保在严苛环境下依然稳定如一。选择它，就是为您的汽车电子、工业控制或网络设备注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:MT47H64M16NF-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16NF-25E:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。