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还在为经典系统寻找一颗性能稳定、值得托付的存储核心吗？M29F800DB55N1就是您理想的答案。这颗8Mb并行NOR闪存芯片，能以高达55ns的极速访问时间，让您的系统指令读取如飞，显著提升响应效率。

它为您提供1M x 8或512K x 16的灵活存储组织方式，并拥有4.5V至5.5V的宽电压适应能力，确保在多变的环境中稳定运行。其非易失特性让数据安全无忧，表面贴装的48-TSOP封装则让您能轻松集成到紧凑的板级设计中。选择它，就是为您的工业控制、通信设备或关键嵌入式应用，注入一份经久耐用的可靠力量。

• 型号:M29F800DB55N1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• M29F800DB55N1，Micron（美光）产品一站式供应商。