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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT47H64M16NF-25E:M正是为您破解这一难题的利器。这颗由美光科技打造的1Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有64M x 16的位宽和高达400MHz的运行速度，能为您的高速应用提供澎湃的数据带宽，让您的设备处理复杂任务时更加行云流水。

它采用先进的1.8V左右低电压供电和紧凑的84-TFBGA封装，不仅有效降低系统功耗，更能帮助您轻松实现高密度的PCB布局。无论是工业控制、网络通信还是嵌入式计算，它都能以稳定的性能和广泛的温度适应性（0°C ~ 85°C），确保您系统的核心记忆模块高效、可靠地持续运行，大幅提升整体产品的市场竞争力。

• 型号:MT47H64M16NF-25E:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16NF-25E:M，Micron（美光）产品一站式供应商。