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它专为高性能移动计算场景优化，1.1V低电压设计让您在享受澎湃性能的同时，无需担心功耗压力，轻松延长设备续航。无论是打造旗舰级智能手机、高性能平板，还是开发可靠的车载信息娱乐系统，它都能提供稳定、高效的数据支撑，让您的产品在激烈竞争中脱颖而出。

• 型号:MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:384M x 64
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。