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还在为复杂应用中的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M16NF-25E AAT:M为您开启高效存储新篇章。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM，凭借其64M x 16的并行架构和高达400MHz的运行速度，能瞬间提升您的系统数据交换能力，让海量信息处理变得轻松自如。

它专为 demanding 环境而生。1.8V左右的核心电压带来优异的能效表现，而-40°C至105°C的宽温支持，则确保您的设备无论是面对严寒还是酷暑，都能稳定可靠地运行。采用紧凑的84-TFBGA封装，它能帮助您节省宝贵的PCB空间，是打造高性能、高可靠性工业与汽车电子产品的理想内存解决方案。

• 型号:MT47H64M16NF-25E AAT:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16NF-25E AAT:M，Micron（美光）产品一站式供应商。