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您正在寻找一颗能扛起数据重任、让系统运行如飞的核心存储器吗？MT47H512M4THN-3:E TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有333MHz的高效时钟和惊人的450ps访问速度，能轻松应对实时数据的高速读写需求，彻底释放您设备的性能潜力。

它采用成熟的1.8V供电和63-FBGA紧凑封装，不仅功耗控制出色，更能节省宝贵的板卡空间。无论是用于工业控制、网络通信还是嵌入式系统，它都能提供稳定可靠的大容量并行存储支持，让您的设计高效运转，后顾无忧。

• 型号:MT47H512M4THN-3:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H512M4THN-3:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。