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还在为系统数据处理的效率寻找一颗可靠的心脏吗？MT47H512M4THN-25E:M TR正是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度运行，访问时间低至400ps，让您的处理器无需等待，瞬间存取海量数据，极大提升系统响应速度与多任务处理能力。

其1.7V~1.9V的低电压设计，让您在享受高效性能的同时，也能更好地控制功耗与发热，非常适合对稳定性和能效有要求的嵌入式应用。无论是工业控制、网络通信还是消费电子，它都能作为可靠的存储基石，让您的设备运行更流畅、更持久。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的稳健与高效。

• 型号:MT47H512M4THN-25E:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H512M4THN-25E:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。