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它采用1.8V标准电压和先进的封装技术，不仅功耗控制出色，更能帮助您简化系统设计，轻松应对复杂的多任务环境。无论是工业控制、网络通信还是安防监控，它都能提供稳定可靠的数据存储与交换支持，是您打造高性能、高可靠性产品的得力伙伴。

• 型号:MT47H512M4EB-3:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M4EB-3:C，Micron（美光）产品一站式供应商。