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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破口吗？MT47H512M4EB-25E:C正是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb DDR2并行DRAM，能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作，让海量数据的读写访问瞬间完成，显著提升系统响应效率。

它采用高效的1.8V供电和512M x 4的组织架构，为您在工业控制、网络通信等领域的应用提供稳定可靠的内存支持。其表面贴装的60-TFBGA封装，更便于您进行高密度的PCB板设计，帮助您轻松构建更紧凑、更高效的产品。

• 型号:MT47H512M4EB-25E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M4EB-25E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。