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还在为系统数据吞吐能力不足而烦恼吗？让MT47H512M4EB-187E:C为您彻底解决这一难题。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2并行DRAM芯片，凭借其533MHz的高时钟频率和512M x 4的存储结构，能为您的高速处理器提供源源不断的“数据燃料”，轻松应对大数据流的实时读写需求，显著提升整体系统响应速度。

它采用1.8V左右低电压运行，在保证强劲性能的同时，有效帮助您控制设备功耗。其350ps的超快访问时间和15ns的写周期时间，意味着更低的延迟和更高的工作效率，无论是复杂的算法运算还是大量的数据缓冲，都能让您的设备运行如飞。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的可靠性与高效能。

• 型号:MT47H512M4EB-187E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M4EB-187E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。