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当您的设计需要一颗能扛起高速数据重担的“记忆核心”时，MT44K16M36RB-125F:A就是您的高效解决方案。这颗576Mb容量的并行DRAM，能以800MHz的高速时钟频率和极低的访问延迟，让您的系统轻松应对海量数据的实时读写，彻底告别数据瓶颈。

它采用168-TBGA表面贴装封装，在1.28V至1.42V的低电压下工作，不仅功耗控制出色，更能在宽温范围内稳定运行。这意味着它能无缝集成到您的嵌入式设计中，为您提供可靠的高速数据缓冲和存储支持，是提升网络、通信、工业控制等设备性能表现的理想选择。

• 型号:MT44K16M36RB-125F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-125F:A，Micron（美光）产品一站式供应商。