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MT47H32M8BP-3:B TR 零件图片(仅供参考)

MT47H32M8BP-3:B TR
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MT47H32M8BP-3:B TR 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗久经考验、性能稳定的内存核心吗?MT47H32M8BP-3:B TR正是您理想的答案。这颗由美光科技出品的256Mb DDR2 SDRAM芯片,能以高达333MHz的速度高效处理数据,其快速的读写周期让您的应用响应如飞,轻松应对实时性要求高的任务。

它为您提供32M x 8的灵活组织架构,1.8V的工作电压有助于优化能效,而宽广的工业级温度范围则确保了在严苛环境下的可靠运行。选择它,就是为您的工业控制、网络通信或嵌入式设备注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”,让系统性能表现始终高效如一。

  • 型号:MT47H32M8BP-3:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:256Mb
  • 存储器组织:32M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:450 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-FBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x12)
  • MT47H32M8BP-3:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT47H32M8BP-3:B TR 基本参数:

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