我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F4G08ABAEAH4:E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起数据存储核心重任的闪存芯片吗？MT29F4G08ABAEAH4:E正是为您而来。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，旨在让您的设备拥有高效、可靠的数据吞吐能力。其并联接口设计确保了快速的数据访问，而宽电压供电（2.7V-3.6V）则让它在各种电源环境下都能稳定工作，极大简化了您的电源设计难题。

它能让您的产品轻松应对固件存储、数据日志记录、媒体缓存等关键任务。紧凑的63-VFBGA封装非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您实现更小巧、更集成的产品形态。无论是工业控制、网络通信还是消费电子，选择它，就是为您的系统选择了一个值得信赖的数据基石。

• 型号:MT29F4G08ABAEAH4:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABAEAH4:E，Micron（美光）产品一站式供应商。