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还在为系统数据吞吐效率而烦恼吗？MT47H32M8BP-37E:B TR就是您期待的答案。这颗美光DDR2 SDRAM芯片，集256Mb大容量（32M x 8）、高达267MHz的时钟频率与仅500ps的极速访问时间于一身，专为需要高速、稳定数据交换的应用而设计。它能轻松胜任实时数据处理、高速通信缓冲等关键任务，显著提升系统响应速度。

它采用1.7V~1.9V低电压供电，帮助您有效控制设备功耗；其0°C至85°C的宽温工作特性，则确保了在多样环境下的可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一位高效、耐用的性能伙伴，让您的设计在稳定与速度之间找到完美平衡。

• 型号:MT47H32M8BP-37E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12）
• MT47H32M8BP-37E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。