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您正在设计下一代需要处理海量实时数据的工控设备或通信模块吗？MT47H32M16NF-25E AUT:H TR就是为您的高要求应运而生的利器。这颗由美光科技打造的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度疾速响应，让您的系统轻松应对复杂的数据读写任务，瞬间完成信息处理，大幅提升整体运行效率。

它不仅仅追求速度，更注重在恶劣环境下的坚不可摧。其支持-40°C至125°C的极端工作温度，并采用1.8V低功耗设计，确保您的设备无论是在严寒的户外基站还是在高温的工厂车间，都能保持稳定、低耗的持久运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲且可靠的数据心脏。

• 型号:MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E AUT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。