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还在为嵌入式系统寻找一颗既能扛住高性能压力，又能保持稳定低功耗的内存核心吗？MT47H32M16HR-25E L:G就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的512Mb DDR2 SDRAM，能以高达400MHz的速度流畅处理数据，其快速的访问时间让系统响应无比迅捷，轻松应对工业控制、网络通信等领域的实时数据处理需求。

它采用先进的低电压设计（1.7V~1.9V），在为您提供强大算力支撑的同时，显著优化整体能效，特别适合注重续航与散热的设计。紧凑的84-TFBGA封装让您的板级设计更灵活，集成度更高。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的数据心脏。

• 型号:MT47H32M16HR-25E L:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16HR-25E L:G，Micron（美光）产品一站式供应商。