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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗性能与稳定兼备的“记忆心脏”吗？MT47H256M8THN-25E:H正是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度流畅处理数据，其低至400ps的访问时间和宽电压（1.7V~1.9V）支持，让您的系统运行更高效、更节能。

它专为要求严苛的场合而生，0°C至85°C的宽温工作范围确保其在工业自动化、网络通信等环境中稳定可靠。经典的256M x 8架构和并联接口，让您的系统集成与升级变得异常轻松。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的持久动力。

• 型号:MT47H256M8THN-25E:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H256M8THN-25E:H，Micron（美光）产品一站式供应商。