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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗性能与稳定兼备的内存核心吗？MT41J256M4JP-125:G这颗1Gb DDR3 SDRAM芯片，就是您的高效答案。它能够为您的设备提供高达800MHz的数据传输速率，轻松应对实时数据流处理、高速缓冲和多任务运算的挑战，让系统响应如行云流水般顺畅。

基于美光科技的可靠工艺，它采用1.5V供电和78-TFBGA紧凑封装，不仅有效降低功耗，更能让您轻松集成到空间受限的设计中。无论是工业控制、通信基础设施还是需要持续稳定运行的设备，这颗芯片都能以其卓越的并行处理能力和宽温工作特性（0°C ~ 95°C），确保您项目的核心数据吞吐高效且可靠，显著提升整体系统性能。

• 型号:MT41J256M4JP-125:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41J256M4JP-125:G，Micron（美光）产品一站式供应商。