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想象一下，您的设备需要瞬间处理海量数据流，而内存的响应速度却成了瓶颈，这是多么令人沮丧的场景！MT47H256M8EB-187E:C TR正是为解决这一问题而生。这颗美光2Gb DDR2 SDRAM芯片，凭借533MHz的高效时钟和仅350ps的快速访问时间，能显著提升您系统的数据吞吐能力，让数据处理变得行云流水。

它采用256M x 8的并行架构和1.8V左右的标准工作电压，让您在设计中能够轻松实现高速、稳定的数据缓冲与存储。无论是用于提升网络设备的报文处理速度，还是增强工业控制器的实时响应，它都能让您的产品性能表现更加出色和可靠。

• 型号:MT47H256M8EB-187E:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-187E:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。